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全球的内存市场主要被三星、SK Hynix和美光三家公司垄断,他们三家加起来的份额高达95%,中国要想在内存市场实现突破并不容易。近日,江苏时代芯存半导体有限公司相变存储器工厂竣工运营启动仪式顺利举行,此举标志着130亿元投资的相变存储项目开始进入运营阶段。
内存不止传统的DDR技术,还有很多新兴领域正在发展,比如PCM相变存储,相比传统内存它的优势很多,比如速度快了1000倍,耐用性也是传统内存的1000倍。中国正在该技术领域加大研发力度。项目的投产标志着中国正在该领域实现“弯道超车”。
上市公司中:
纳思达:全资子公司艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所等联合在相变储存器产业化方面获突破性进展。
南大光电:主导产品MO源、二叔丁基碲是制造相变存储器的核心材料。
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投资亮点 1、公司拟在原有NORFlash的基础上,研发90nm、65nm和45nm工艺节点的NORFl...[详细]